广东省半导体产业技术研究院2019年面向海内外引进高层次人才

广东省半导体产业技术研究院是广东省科学院下属的18个骨干研究院所之一。省半导体院是广东省在半导体技术领域的主体科研机构，已建立有材料外延、微纳制造、封装应用、以及分析测试四大科研平台，购置了MOCVD等120多台/套关键设备，设备总价值上亿元，是国内少数覆盖了整个产业链的高水平研发平台，技术条件国际先进。拥有一支高水平的人才队伍，包括国家“国家高级人才计划”、广东省创新团队、广东省特支计划、广州市珠江新星等人才，成员来自美国、日本、欧洲以及国内的顶尖科研机构或知名公司。

广东省半导体产业技术研究院拥有广东省第三代半导体工程中心以及其他优质行业资源，是中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会挂靠单位，16位院士出任该专业委员会顾问，委员覆盖国内行业优势高校科研机构和企业，具有代表性。此外，我院与国内外相关领域的先进研发机构建立稳定持续的实质合作关系，合作地域涵盖美国、日本、英国、香港等国家和地区。

凝聚态物理、微电子学、电子与电路设计、半导体物理与器件、光电子学、材料学等和半导体相关专业背景。

主要研究领域：MOCVD半导体外延生长，半导体芯片工艺，半导体器件封装与集成，VCSEL，半导体激光器，电子电路设计及新型显示技术等（TFT及CMOS驱动显示IC设计），氮化物半导体材料与器件外延技术，新型宽禁带半导体材料及器件开发，半导体器件设计与制备，半导体材料器件表征分析，光学设计，图像处理算法。

注：税前年薪、同时享受成果及绩效奖励，上不封顶。单位：元

作为学科建设的领军人才，能够带领本学科在其领域赶超或者保持国际先进水平。包括诺贝尔奖获得者、两院院士、外籍及境外院士，或具有上述相当成就的国内外知名教授（原则上年龄不超过63周岁，特殊情况可适当放宽）。

（1）“百人计划”A类人才

海内外著名大学的教授，海内外著名研究机构资深研究员，能带领本学科在其领域赶超或者保持全国领先水平的领军人才，原则上年龄不超过50周岁（以当年12月31日为计算截止日，特别优秀者可适当放宽），相当于下列水平人才：

1.国家高级人才计划入选者；

2.长江学者特聘教授；

3.国家杰出青年基金获得者；

4.国家重大重点研发计划项目的负责人；

5.“国家特支计划”科技创新领军人才、科技创业领军人才百千万工程领军人才；

6.国家自然科学基金创新研究群体负责人；

7.国家科技奖励第一完成人；

8.中科院“百人计划”入选者；

9.广东省“特支计划”杰出人才（南粤百杰）、广东省“珠江人才计划”引进创新团队带头人、广东省“珠江人才计划”引进领军人才；

10.国家重点实验室或工程中心主任。

（2）“百人计划”B类人才

海外知名高校、科研院所副教授（或相当职务）以上，或国内一流高校、科研院所正高级职务的人才。原则上年龄不超过42周岁（以当年12月31日为计算截止日，特别优秀者可适当放宽），相当于下列水平人才：

1.“珠江学者”特聘教授或同级别省级人才工程项目入选者；

2.“百千万人才工程”国家级人选；

3.国家“青年国家高级人才计划”获得者、“国家特支计划”青年拔尖人才、教育部“青年长江学者”、国家自然科学基金优秀青年基金获得者；

4.国家重大科技专项重大课题负责人、国家自然科学基金重点项目负责人。

（3）“百人计划”C类人才

海外知名高校、科研院所、企业拥有正式科研职位的杰出人才或优秀博士、博士后，或国内一流高校、科研院所副高级以上职务的优秀人才。原则上年龄不超过35周岁（以当年12月31日为计算截止日，特别优秀者可适当放宽），且近五年科研成果符合下列条件的一项：

1.在《Science》、《Nature》、《CELL》或SCI（影响因子20以上）的国际顶尖期刊上发表论文1篇，或者在影响因子大于10的刊物上发表论文2篇，本人排名第一或为通讯作者；

2.自然科学类，作为第一作者或通讯作者在中国科学院JCR1区或者在本学科权威期刊上发表6篇及以上学术论文；

3.所发表的第一作者或通讯作者学术论文经SCI检索，单篇近五年被其他人引用50次以上；

4.相当于广东省杰出青年基金获得者、广东省青年珠江学者获得者或同级别省级人才工程项目入选者的人才；

5.其他学术地位、水平与此相对的人才。

国内外高校毕业的优秀博士、博士后，进入研究院工作或进入广东省科学院博士后工作站的博士后。

苏先生邮箱：gdsbdtcyjsyjy@163.com，179573225@qq.com

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